Dans un communiqué de l’université de Southampton, au Royaume-Uni, on apprend que des ingénieurs ont mis au point une méthode pour fabriquer des transistors bipolaires deux fois plus rapides que ceux présents actuellement sur le marché.
Grâce à la fluorine, un nouveau record de fréquence a été obtenu par des ingénieurs de l'université de Southampton
(Crédits : Southampton University)
Ce sont des ingénieurs de l’université de Southampton, et plus particulièrement de son école d’électronique et d’informatique (ECS), qui sont parvenus à cet exploit. En collaboration avec STC Microelectronics, ils ont doté des transistors bipolaires au silicium conventionnels d’implants de fluorine et sont ainsi parvenus à les cadencer à la fréquence exceptionnelle de 110 GHz. Une fréquence deux fois supérieure au record actuel en la matière !
Le professeur Peter Ashburn, qui supervisait ces travaux, a expliqué que la présence des implants de fluorine permettait d’empêcher la diffusion du bore à la base du transistor, de rétrécir ainsi la largeur de cette base et, in fine, de faire circuler plus rapidement les électrons. « Ce résultat montre que l’industrie électronique [NDLR : notamment les fabricants de téléphones mobiles et d’autres systèmes sans-fil] a la possibilité d’obtenir de meilleures performances, et ce pour un surcoût modéré. », a-t-il déclaré. Ainsi, cette avancée a permis d’obtenir avec du silicium des performances comparables à celles des transistors SiGe (silicium-germanium).
L’équipe étudie actuellement le comportement de la fluorine et recherche d’autres matériaux susceptibles de stopper la diffusion du bore.